Компания Samsung завершила разработку над модулем памяти DDR3 объемом 32 ГБ, предназначенного для серверов. Модуль рассчитан на напряжение питания 1,35 В.Такой размер ОЗУ является первым в своем роде.
В конструкции модуля используются микросхемы памяти DDR3 производства Samsung плотностью 4 Гбит, изготавливаемые по нормам «50-нанометрового класса». О выпуске этих микросхем компания сообщила в конце января текущего года.
Напряжение питания микросхем DDR3 DRAM составляет 1,35 В. По словам производителя, снижение напряжения питания микросхем позволит существенно уменьшить энергопотребление модулей памяти и сократить выделение тепла. В свою очередь, повышение плотности памяти сокращает затраты на модернизацию и обслуживание вычислительной техники.
источник: samsung.com