Четверг, 13-Май-2021, 15:13
Приветствую Вас Гость | RSS
Главная | Регистрация | Вход
Форма входа
cs-elets
Наш сайт переехал вот суда http://www.cs-elets.net.ru/
Меню сайта
Категории раздела
Новости спорта [13]
Новости игр [36]
Новости [27]
расскажем все что скрыто
Наш опрос
Пользуетесь ли вы RSS лентами?

Результат опроса Результаты
Все опросы нашего сайта Архив опросов
Всего голосовало: 14
Обсудить на форуме
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
За сегодня:
Партнеры
Скрипты - Моды - Патчи - Дополнения - Шаблоны - Шапки - Юзебары - Карты - Звуки - Шапки - Дизайны - Модели - Скины - Все для CS:S и многое другое для Вас ! - СS-elets-mega-portal
Пользователи
Зарег. на сайте
Всего: 440
Новых за месяц: 0
Новых за неделю: 0
Новых вчера: 0
Новых сегодня: 0
Из них
Администраторов: 2
Модераторов: 1
Проверенных: 4
Обычных юзеров: 432
Из них
Парней: 397
Девушек: 43
ELETS-MEGA-PORTAL
Главная » 2009 » Июнь » 19
Компания Samsung завершила разработку над модулем памяти DDR3 объемом 32 ГБ, предназначенного для серверов. Модуль рассчитан на напряжение питания 1,35 В.Такой размер ОЗУ является первым в своем роде.
В конструкции модуля используются микросхемы памяти DDR3 производства Samsung плотностью 4 Гбит, изготавливаемые по нормам «50-нанометрового класса». О выпуске этих микросхем компания сообщила в конце января текущего года.
Напряжение питания микросхем DDR3 DRAM составляет 1,35 В. По словам производителя, снижение напряжения питания микросхем позволит существенно уменьшить энергопотребление модулей памяти и сократить выделение тепла. В свою очередь, повышение плотности памяти сокращает затраты на модернизацию и обслуживание вычислительной техники.
источник: samsung.com

Категория: Новости | Просмотров: 554 | Дата: 19-Июн-2009 | Рейтинг: 5.0/1 | Комментарии (0)

Copyright MyCorp © 2021