Пятница, 22-Сен-2017, 00:22
Приветствую Вас Гость | RSS
Главная | Регистрация | Вход
Форма входа
cs-elets
Наш сайт переехал вот суда http://www.cs-elets.net.ru/
Меню сайта
Категории раздела
Новости спорта [13]
Новости игр [36]
Новости [27]
расскажем все что скрыто
Наш опрос
Как часто заходите на этот сайт?

Результат опроса Результаты
Все опросы нашего сайта Архив опросов
Всего голосовало: 26
Обсудить на форуме
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
За сегодня:
Партнеры
Скрипты - Моды - Патчи - Дополнения - Шаблоны - Шапки - Юзебары - Карты - Звуки - Шапки - Дизайны - Модели - Скины - Все для CS:S и многое другое для Вас ! - СS-elets-mega-portal
Пользователи
Зарег. на сайте
Всего: 440
Новых за месяц: 0
Новых за неделю: 0
Новых вчера: 0
Новых сегодня: 0
Из них
Администраторов: 2
Модераторов: 1
Проверенных: 4
Обычных юзеров: 432
Из них
Парней: 397
Девушек: 43
ELETS-MEGA-PORTAL
Главная » 2009 » Июнь » 19 » Samsung завершила разработку над первым в мире модулем памяти DDR3 объемом 32 ГБ!
15:16
Samsung завершила разработку над первым в мире модулем памяти DDR3 объемом 32 ГБ!
Компания Samsung завершила разработку над модулем памяти DDR3 объемом 32 ГБ, предназначенного для серверов. Модуль рассчитан на напряжение питания 1,35 В.Такой размер ОЗУ является первым в своем роде.
В конструкции модуля используются микросхемы памяти DDR3 производства Samsung плотностью 4 Гбит, изготавливаемые по нормам «50-нанометрового класса». О выпуске этих микросхем компания сообщила в конце января текущего года.
Напряжение питания микросхем DDR3 DRAM составляет 1,35 В. По словам производителя, снижение напряжения питания микросхем позволит существенно уменьшить энергопотребление модулей памяти и сократить выделение тепла. В свою очередь, повышение плотности памяти сокращает затраты на модернизацию и обслуживание вычислительной техники.
источник: samsung.com
Категория: Новости | Просмотров: 375 | Добавил: dmikorp | Рейтинг: 5.0/1
Всего комментариев: 0

Имя *:
Email:
Код *:
Copyright MyCorp © 2017